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使用较高的加速电压，减少EB光刻胶的前向散射。CABL-UH型号的精度小于8nm。
可以根据客户需求选择90kV，110kV或130kV机型。
光斑直径：< 1.6nmΦ
加速电压：130kV，110kV或90kV
样品尺寸：适用于8寸以下以及碎片
| Electron Emitter／Acceleration voltage | TFE (ZrO／W)／25～130kV |
|---|---|
| Min. beam diameter | 1.6nm |
| Scan method | Vector scan (x, y) (Standard) Vector scan (r, θ), Raster scan，Spot scan (Optional) |
| Advanced lithography functions (Optional) | Field size modulation lithography, axial symmetry pattern lithography |
| Field size | 30μm□，60μm□，120μm□，300μm□，600μm□, 1000μm□ |
| Work piece size | 4, 6, 8inchΦ (work pieces of other sizes and other shapes can be mounted with our flexible contrivances) |
| CAD software | Dedicated CAD (Standard), GDSⅡconversion (Optional), DXF conversion (Optional) |
| OS | Windows |